深圳市微碧半导体有限公司
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场效应管SI4401BDY-T1-VB?SOP8微碧半导体MOS管电子元器件晶体管

产品标签  | 晶体管 MOS管 场效应管 SI4401BDY-T1-VB 微碧半导体

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场效应管SI4401BDY-T1-VB?SOP8微碧半导体MOS管电子元器件晶体管

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    产品特性：大功率品牌：VBsemi/微碧半导体型号：SI4401BDY-T1-VB
    封装：SOP8批号：24+FET类型：P沟道MOS管
    漏源电压（Vdss）：-40V漏极电流(Id)：-16.1A漏源导通电阻(RDS On)：10mΩ@-10V,-10.2A
    栅源电压(Vgs)：标准栅极电荷(Qg)：33nC@-20V反向恢复时间：标准
    最大耗散功率：6300mW配置类型：single工作温度范围：-55℃~+150℃
    安装类型：表面贴片应用领域：网络通信、 安防设备、 测量仪器、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 物联网IoT、 可穿戴设备、 新能源









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