深圳市微碧半导体有限公司
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  • 所 在 地：广东 深圳 福田区
  • 主营产品： mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS
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公司新闻
五一放假通知发布日期：2025-04-28 17:59:14
尊敬的客户：五一来临之际，感谢您一直以来对微碧半导体的支持与信任。为了让您提前做好工作安排，特此通知：根据国家法定节假日规定，我公司将放假安排如下：五一劳动节放假时间: 2025年5月1日---2025年5月4日  共4天 。调休补班：2025年4月27日（星期天）按要求补班，2025年5月5日（星期一）正常上班请您提前安排好相关业务，并在假期前及时与我们联系，以便我们提供更好的服务。在此，我们诚挚地感谢您一直以来的支持与合作，祝您拥有一个愉快的假期！感谢您对微碧半导体的关注与支持！微碧半导体有限公司 
MOSFET在电动牙刷中的应用发布日期：2025-04-28 17:57:29
MOSFET在电动牙刷中的应用 微碧半导体VBsemi电动牙刷凭借高效清洁和便捷使用，成为现代口腔护理的热门选择。VB1240 MOSFET 以其独特性能，深度参与电动牙刷核心功能实现，保障产品高效稳定运行。 电动牙刷的核心构成与运作VB1240电动牙刷主要由电机、电池、控制系统和刷头组成。电机提供震动或旋转动力，电池供电，控制系统调节电机，刷头负责清洁。VB1240是单N型MOSFET，20V的VDS满足工作电压需求，±12V的VGS保障控制安全，0.5 - 1.5V的Vth实现精准导通。 应用VB1240（一）电机驱动控制&nbs
微碧荣获 2024 年度华强电子网***国产品牌发布日期：2025-04-22 09:45:01
以 “芯” 致远！微碧 VBsemi 荣获 2024 年度华强电子网***国产品牌微碧VBsemi半导体在半导体产业蓬勃发展、技术革新日新月异的时代浪潮中，2025 半导体产业发展趋势大会暨 2024 年度华强电子网优质供应商 & 电子元器件行业颁奖盛典盛大举行。这场汇聚全球半导体领域精英企业与前沿技术的盛会，成为见证行业荣耀与未来方向的重要舞台。MOSFET制造商微碧半导体VBsemi凭借二十余年深耕不辍的技术沉淀、***的产品品质与创新实力，从众多竞争者中***，荣获2024 年度华强电子网***国产品牌称号，以 “芯” 
直播预告：探秘人工智能时代，共寻机遇与挑战发布日期：2025-04-14 09:43:38
微碧VBsemi直播预告：探秘人工智能时代，共寻机遇与挑战尊敬的行业伙伴与朋友们：在科技迅猛发展的当下，人工智能正强势重塑各行各业。您是否好奇，在这波技术变革浪潮中，半导体领域藏着哪些机遇，又面临何种挑战？微碧半导体精心筹备了两场干货满满的直播，由***的张震总监亲自主持，为您深度剖析、答疑解惑！立创商城专场直播主题：人工智能时代的机遇和挑战直播时间：4月16 号 15:20 - 16:00直播平台：立创商城视频号直播亮点：张震总监将结合微碧半导体在***的深耕经验，详细解读人工智能时代为半导体产业带来的全新增长点，如芯片需求爆发点、技术创新突破口等。同
锂电池欠压闭锁电路截止电压偏移怎么办？发布日期：2025-04-14 09:40:07
锂电池欠压闭锁电路截止电压偏移怎么办？  微碧科普小天地     锂电池使用时电压会随电量消耗降低，为避免过度放电，我们可以使用欠压闭锁电路。该电路能够在锂电池电压低于特定值时自动断电，并且确保断电后的功耗被严格控制在 50μA 以内。     原理图如下，当锂电池电压高于 12V时，经 R1 和 R2 分压使 U2  的 REF 引脚电压超 2.5V，U2  导通，拉低PMOS 管栅极电压，PMOS 导通为后续电路供电。电压低于 12V 时，分压后电压低于 2.5V，U2  
微碧半导体邀您共赴2025慕尼黑展会上海站之约发布日期：2025-04-07 09:46:10
微碧VBsemi微碧半导体邀您共赴2025慕尼黑展会上海站之约全球电子科技界的年度盛事——2025慕尼黑上海电子展（electronica China）将于4月15日-17日在上海新国际博览中心盛大开幕。本届展会将继续***电子科技创新浪潮，聚焦新能源汽车、智能汽车、绿色能源、智能工厂、物联网、工业互联网等前沿领域，搭建从设计研发到应用落地的全产业链交流平台。作为半导体领域的重要参与者，微碧半导体（展位号：N4.229）将深度参与这一行业盛会，我们诚邀***同仁莅临交流，共同探讨电子行业未来发展新机遇！品牌实力彰显微碧半导体 VBsemi，在 MOSFET 领域专注深耕，集设计、生产、销售于一
VBsemi发布：21mΩ***阻抗重新定义快充效率发布日期：2025-03-31 09:57:15
VBsemi第三代SiC MOSFET发布：21mΩ***阻抗重新定义快充效率 微碧半导体VBsemi作为专注于高性能MOSFET设计的***企业，VBsemi（微碧半导体）针对电动汽车直流快充、储能系统（ESS）及双向充电（V2G）等关键领域，推出多款基于第三代SiC技术的MOSFET产品。这些器件凭借***导通电阻、高开关效率及***的散热性能，可***替代传统硅基方案，助力客户构建更紧凑、更高效的功率系统。 产品核心优势第三代SiC MOSFET1. 效率     采用***SiC工艺，开关损耗降低
开关状态时MOS管容易损坏？怎么避免？发布日期：2025-03-25 09:21:04
开关状态时MOS管容易损坏？怎么避免？  微碧科普小天地MOS管在开关状态工作时Q1、Q2是轮流导通，MOS管栅极是在反复充电、放电的状态，如果在此时关闭电源，MOS管的栅极就有两种状态，可能会引发电荷积累问题。一个状态是放电状态，栅极等效电容没有电荷存储，一个状态是充电状态，栅极等效电容正好处于电荷充满状态，如下图所示。由于Q1和Q2在电源关闭后均处于断开状态，栅极电荷无法通过电路释放，导致栅极电场仍然存在。当电源再次开启时，激励信号尚未建立，而MOS管的漏极电源（VDS）会随机提供电压。如果栅极电场仍然存在，导电沟道会即刻形成，导致MOS管产生不受控的巨大漏极电流（ID），可能烧
MOS管开关波形异常是怎么回事？发布日期：2025-03-17 09:38:57
MOS管开关波形异常是怎么回事？  微碧科普小天地理想状态下，MOS管的开关波形应与控制信号电压波形一致。然而实际应用里，MOS 管开关波形常常出现异常，这是怎么回事呢？当输入信号为1MHz，幅度5V的方波信号，通过200Ω电阻R1连接到NMOS的栅极时。波形显示Ud电压最小值还在5V左右就又开始上升，即MOS管的开关并未完全导通。这是为什么呢？这一现象可由米勒平台解释，MOS管GS和GD之间分别有一个等效电容，电容两端电压不能突变，因此当栅极加上一个开关信号时，本质上就是对这些电容进行充放电，来使Vgs电压达到导通和关闭的门限。因此，若栅极串联较大电阻，充放电电流小，电容充电速度慢
微碧半导体参展公告发布日期：2025-03-10 09:45:05
微碧半导体参展公告微碧VBsemi半导体微碧半导体参展公告尊敬的客户及合作伙伴：我们很高兴地宣布，微碧半导体将参加2025年4月15日至17日在上海新国际博览中心举办的慕尼黑展会。此次展会是我们展示***与产品的重要平台，也是与行业同仁交流合作的***机会。展会详情：展会名称：慕尼黑展会展会时间：2025年4月15日 - 17日展会地点：上海新国际博览中心展位号：N4.229这次展会是电子***重要的盛事，汇聚了国内外优质电子企业，重点梳理了电子行业年度脉络，并展示了新能源汽车、储能、智能驾驶等热门趋势。作为高新技术企业，微碧半导体一直致力于MOSFET的研发和制造，服务于中高端市场
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