产品特性:大功率 | 品牌:VBsemi/微碧半导体 | 型号:SUD19P06-60L-E3-VB |
封装:TO252 | 批号:24+ | FET类型:MOS |
漏源电压(Vdss):-60V | 漏极电流(Id):-22A | 漏源导通电阻(RDS On):48mΩ@VGS=10V |
栅源电压(Vgs):-1.5V | 栅极电荷(Qg):标准 | 反向恢复时间:标准 |
最大耗散功率:标准mW | 配置类型:single | 工作温度范围:标准 |
安装类型:表面贴片型 | 应用领域:汽车电子、 网络通信、 安防设备、 医疗电子、 测量仪器、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 广电教育、 物联网IoT、 可穿戴设备、 新能源 |