产品特性:大功率 | 品牌:微碧VBsemi | 型号:Si5424DC-T1-E3 |
封装:QFN-8 | 批号:23+ | FET类型:MOS |
漏源电压(Vdss):30V | 漏极电流(Id):6.7A | 漏源导通电阻(RDS On):标准 |
栅源电压(Vgs):标准 | 栅极电荷(Qg):标准 | 反向恢复时间:标准 |
最大耗散功率:2.1WmW | 配置类型:Single | 工作温度范围:-55+150 |
安装类型:贴片 | 应用领域:汽车电子、 网络通信、 安防设备、 医疗电子、 测量仪器、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 广电教育、 物联网IoT、 可穿戴设备、 新能源 |