深圳市微碧半导体有限公司
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  • 所 在 地:广东 深圳 福田区
  • 主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS
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VSD080P06MS-VB封装TO-252 N沟道场效应管MOS管微碧半导体电源芯片
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VSD080P06MS-VB封装TO-252 N沟道场效应管MOS管微碧半导体电源芯片

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    广东 深圳 福田区 华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502
品牌:VBsemi/微碧半导体型号:VSD080P06MS-VB类型:N沟道
漏源电压(Vdss):-60V封装/规格:TO-252(DPAK)包装:编带
最小包装量:3000产品特性:大功率封装:TO-252
批号:23+FET类型:MOS漏极电流(Id):-22A
漏源导通电阻(RDSOn):48mΩ@10V栅源电压(Vgs):标准栅极电荷(Qg):标准
反向恢复时间:标准最大耗散功率:38.5WmW配置类型:Single
工作温度范围:-55+150安装类型:贴片数量:99999

VSD080P06MS-VB封装TO-252 N沟道场效应管MOS管微碧半导体电源芯片详细介绍









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