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微碧半导体335N-VB SOT23-3 大功率MOS管场效应管电子元器件芯片
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微碧半导体335N-VB SOT23-3 大功率MOS管场效应管电子元器件芯片

产品标签  | 场效应管 MOS管 芯片 电子元器件 335N-VB

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微碧半导体335N-VB SOT23-3 大功率MOS管场效应管电子元器件芯片

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    品牌：VBsemi(微碧)型号：335N-VB漏源电压(Vdss)：20V
    封装/规格：SOT-23(SOT-23-3)包装：编带最小包装量：3000
    产品特性：增强型封装：SOT23-3批号：22+
    FET类型：MOS管漏极电流(Id)：6A漏源导通电阻(RDSOn)：31.8mΩ@4.5V
    配置类型：N沟道安装类型：贴片数量：99999

    微碧半导体335N-VB SOT23-3 大功率MOS管场效应管电子元器件芯片详细介绍









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