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UTD408L-TN3-R 大功率微碧VBsemi mos管 TO252 场效应管
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UTD408L-TN3-R 大功率微碧VBsemi mos管 TO252 场效应管

产品标签  | 场效应管 mos管 贴片场效应管 丝印 电子元器件

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UTD408L-TN3-R 大功率微碧VBsemi mos管 TO252 场效应管

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    产品特性：mos品牌：微碧VBsemi型号：UTD408L-TN3-R
    封装：TO252批号：23+FET类型：N
    漏源电压（Vdss）：/漏极电流(Id)：/漏源导通电阻(RDS On)：/
    栅源电压(Vgs)：/栅极电荷(Qg)：/反向恢复时间：/
    最大耗散功率：/mW配置类型：/工作温度范围：/
    安装类型：/应用领域：***/航天、 汽车电子、 网络通信、 安防设备、 医疗电子、 测量仪器、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 广电教育、 物联网IoT、 可穿戴设备、 新能源

    UTD408L-TN3-R 大功率微碧VBsemi mos管 TO252 场效应管详细介绍







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