发布时间：2024-04-15 09:33:31
随着手机快充、电动汽车、无刷电机和锂电池的兴起，中压MOSFET的需求越来越大，中压功率器件开始蓬勃发展，因其巨大的市场份额，国内外诸多厂商在相关器件广泛应用于电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统，是核心功率控制部件。
SGT MOSFET作为重要的功率半导体器件，广泛应用于PD快充、电机驱动（Motor driver）、电池管理系统（BMS）、电动工具等领域。单管SGT MOSFET：VBGL7103具有低导通电阻且低栅极电荷的优点，能够提高功率密度、降低损耗、并具有更好EMI优势。
产品特性
1. 低导通电阻，有效降低损耗
VBGL7103采用了独特的SGT（屏蔽栅沟槽）工艺设计，使得开关损耗比普通沟槽小得多。其拥有比普通沟槽深3-5倍的深度，不仅在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的基础上引入了水平耗尽，还能利用更多的外延体积来阻挡电压。
2. 功率、能耗性能突出
由于其沟槽挖掘深度深3-5倍，SGT MOSFET可以横向使用更多的外延体积来阻止电压，使得导通电阻大大降低。
3. 降低开关损耗:
SGT技术的低Qg特性结合屏蔽栅结构的应用，使得VBGL7103 MOSFET的米勒电容CGD相较传统器件降低了数倍以上，***减少了在开关电源应用中的开关损耗，提高了整体效率。此外，其较低的CGD/CGS比值也进一步优化了性能表现。
4. EMI优势与EAS能力:
VBGL7103 MOSFET凭借SGT结构较深的沟槽，能够更有效地利用晶硅体积吸收EAS能量，使其在雪崩过程中表现更为出色，能够可靠地承受雪崩击穿和浪涌电流。此外，SGT结构中的CD-shield和Rshield能够吸收器件关断时由dv/dt变化引起的尖峰和震荡，进一步降低了应用中的风险。
参数特点:
VDS（漏极-源极电压）: 100V
Vgs（栅极-源极电压）: 20V
ID（漏极电流）: 180A
Rds(on)（导通电阻）:
在10V下: 0.003Ω
在4.5V下: 0.005Ω
VBGL7103 MOSFET采用TO-263-7L封装，这种封装形式具有以下优势：
1. 散热性能优越：有大面积的散热接触，能够更有效地将器件产生的热量传导到散热板或散热器上，提高散热效率，确保器件在高负载情况下的稳定性能。
2. 易于安装：封装结构紧凑，引脚排列合理，便于焊接和安装，同时减少了安装过程中的误操作风险，提高了生产效率。
3. 良好的电气特性：考虑了电气接地和阻抗匹配等因素，能够提供良好的电气性能，降低电路中的串扰和干扰，确保信号传输稳定可靠。
4. 机械强度高：采用耐高温材料制成，具有较高的机械强度和耐环境性，能够适应各种严苛的工作环境条件。
参考下图规格书可知：漏源电压30V，栅源电压±20V，漏极电流为200，导通电阻为0.002以及其它各个参数参考。
