深圳市微碧半导体有限公司
  • 资质核验已核验企业营业执照
  • 真实性核验借助银行进行对公账号验证或进行法人人脸识别核验企业真实身份
  • 所 在 地:广东 深圳 福田区
  • 主营产品: mos管 场效应管 P沟道MOS N沟道MOS
3年
  • 资质核验已核验企业营业执照
  • 真实性核验借助银行进行对公账号验证或进行法人人脸识别核验企业真实身份
当前位置:
首页>
公司新闻>
TO263-7L的N沟道MOSFET实现更高效率的驱动发展
微信联系
扫一扫
添加商家微信
联系方式 在线联系
TO263-7L的N沟道MOSFET实现更高效率的驱动发展

发布时间:2024-04-07 09:19:25

MOS管是常见的一种分立器件,主要作用为将输入电压的变化转化为输出电流的变化。根据衬底掺杂的不同可分为N沟道和P沟道两种,其通过控制栅极的电压来控制源极和漏极之间的电流,从而实现开关功能。


本期微碧VBsemi给大家介绍近期上新的一款N沟道MOSFET产品,型号为VBL7601,,它可应用于电机驱动电路、充电器等电路。这款产品采用了***芯片贴装工艺***改善了封装的热性能


这样的封装设计很适合系统尺寸紧凑,又需要实现高功率、高效率变换的应用场景。例如车载DC-DC、车载空压机电控、光伏逆变器、电机驱动、UPS电源、开关电源等。

 

产品特性


微碧VBsemi的VBL7601采用N沟道制作,具有***性能特点和工作原理。即:栅极施加正向电压时,形成导电沟道连接源极与漏极,实现导通;栅极施加反向电压时,不形成导电通路,实现截止。


VBL7601的导通电阻很低,开关的反应速度非常快,负载电流较大。

 

参考下图规格书可知:漏源电压30V,栅源电压±20V,漏极电流为200,导通电阻为0.002以及其它各个参数参考。






封装性能


VBL7601这款产品采用了TO-263-7L是一种采用***塑封技术的贴片式封装形式,相较于传统的插件封装方式,它在体积上显得更为紧凑,且在贴片焊接过程中提供了***的便利性。


该封装拥有多个引脚,这些引脚以并联方式连接至源极(S),这样的设计***降低了封装的阻抗,进而在大电流工作环境下,能够有效减少导通损耗,提升整体电路的性能表现。



 

产品应用


VBL7601产品以其***的电学性能,展现出稳定、可靠和低功耗的特性,成为众多客户理想的选择。

VBL7601在多个电路应用领域表现出色,如驱动、开关、放大、稳压、滤波、保护和充电等。其应用范围广泛,包括充电器、适配器、逆变器、电源、电动工具、电子烟、光电耦合器、小家电、储能设备、智能水表、路由器、机顶盒以及车载电子产品等。


以下是该产品的应用亮点:


1. 电信号放大电路:其高输入阻抗和低输出阻抗发挥了关键作用,确保了信号的***放大与驱动,特别是在射频放大、音频放大和功率放大等领域。


2. 电机驱动:VBL7601的低导通内阻和快速开关特性,使其能够***控制电机。


3. 电源管理:能够有效地进行电压稳压、电流控制和功率开关操作。通过控制MOS的导通与截止,实现了电源电路的高效能量管理。


4. 光电耦合:VBL7601有效地实现了光电信号的放大和隔离功能,如光电耦合器的输出级驱动和信号隔离。


MOS选型过程中,以下几点是至关重要的:


1.深入了解产品参数和特性:客户必须深入研究N沟道MOS管的关键参数,如电流、电压和功率损耗等,以确保选择的器件能够满足电路设计的具体需求。


2.考虑应用环境和场景:明确MOS管的应用环境,包括温度范围和电磁干扰等,以确保MOS管在特定条件下能够稳定运作。


3.实现高效运行:正确选择MOS管可以优化电路设计,从而提高系统效率并减少能耗。







免责声明:
本页面所展现的公司信息、产品信息及其他相关信息,均来源于其对应的商铺,信息的真实性、准确性和合法性由该信息来源商铺的所属发布者完全负责,供应商网对此不承担任何保证责任。
友情提醒:
建议您在购买相关产品前务必确认供应商资质及产品质量,过低的价格有可能是虚假信息,请谨慎对待,谨防欺诈行为。
 
建议您在搜索产品时,优先选择带有标识的会员,该为供应商网VIP会员标识,信誉度更高。

版权所有 供应商网(www.gys.cn)

京ICP备2023035610号-2

深圳市微碧半导体有限公司 手机:𐃭𐃮𐃯𐃰𐃮𐃱𐃲𐃳𐃮𐃮𐃰 电话:𐃱𐃴𐃴𐃵𐃳𐃲𐃲𐃶𐃯𐃶𐃶 地址:广东 深圳 福田区 华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502